知转果
发明
一种高迁移率二维Bi2O2Se掺杂的三元太阳能电池及其制备方法已下证

基础信息

类型：
光电材料
申请号：
CN201910938428.3
申请日期
2019-09-30
发布日期
2022-02-15

专利详情

    本发明公开了一种高迁移率二维Bi2O2Se掺杂的三元太阳能电池及其制备方法。所述高迁移率二维Bi2O2Se掺杂的三元太阳能电池自下而上依次包括阴极基底、电子传输层、活性层、空穴传输层以及阳极层；所述活性层为掺杂二维Bi2O2Se纳米片的PBDB‑T/ITIC。通过在活性层中掺杂高电导率二维Bi2O2Se纳米片可以有效地提升有机太阳能电池的电荷传输效率，减少电子空穴对的复合，进而提高掺杂有机太阳能电池的光电转换效率。

合计：￥1.5万共1件服务

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